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產(chǎn)品資料

G6D-4B終端繼電器

如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱(chēng): G6D-4B終端繼電器
產(chǎn)品型號(hào): G6D-4B
產(chǎn)品展商: 歐姆龍
產(chǎn)品價(jià)格: 0.00 元
折扣價(jià)格: 0.00 元
會(huì)員價(jià)格: 0.00 元
關(guān)注指數(shù)：819
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔

簡(jiǎn)單介紹

G6D-4B終端繼電器省安裝空間、立式的4點(diǎn)輸出用終端繼電器， G3DZ-4B寬28×高90×進(jìn)深45mm的尺寸節(jié)省空間。 備有內(nèi)置G6D繼電器型和無(wú)接點(diǎn)的G3DZ功率MOS FET繼電器型，品種齊全。


G6D-4B終端繼電器  的詳細(xì)介紹
G6D-4B終端繼電器省安裝空間、立式的4點(diǎn)輸出用終端繼電器， G3DZ-4B寬28×高90×進(jìn)深45mm的尺寸節(jié)省空間。
備有內(nèi)置G6D繼電器型和無(wú)接點(diǎn)的G3DZ功率MOS FET繼電器型，品種齊全。
端子為IN/OUT分離結(jié)構(gòu)，因此配線方便。
帶動(dòng)作指示用LED。
內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。
使用專(zhuān)用插座，可方便更換繼電器。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。

本體

 

區(qū)別 接點(diǎn)構(gòu)成 型號(hào) 額定電壓(V)
繼電器輸出 1a×4 G6D-4B DC12
DC24
功率MOS FET繼電器輸出 G3DZ-4B DC12
DC24

 

選裝件（另售）

更換用繼電器

 

適用的終端繼電器型號(hào) 型號(hào) 額定電壓(V)
G6D-4B G6D-1A-ASI DC12
DC24
G3DZ-4B G3DZ-2R6PL DC12
DC24


 

額定規(guī)格

繼電器規(guī)格
操作線圈（單個(gè)G6D繼電器）

 

額定電壓
(V)		 額定電流
(mA)		 線圈電阻
(Ω)		 動(dòng)作電壓
(V)		 復(fù)位電壓
(V)		 *大容許
電壓 (V)		 功耗
(mW)
DC 12 18.7 720 70%以下
*		 10%以上 1.3 約200
24 10.5 2880

 

* 但上下反向安裝時(shí)為75％以下。
注1. 額定電流、線圈電阻的值是指，線圈溫度為+23℃時(shí)的值，公差為±10％。
2. 動(dòng)作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。
3. *大容許電壓是指，繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的*大 值。不是連續(xù)容許。
4. 額定電流包含終端的LED電流。

開(kāi)關(guān)部（單個(gè)G6D繼電器）

 

負(fù)載 電阻負(fù)載(cosφ＝1)
額定負(fù)載 AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流 3A
接點(diǎn)電壓的*大值 AC250V、DC30V
接點(diǎn)電流的*大值 3A
開(kāi)關(guān)容量*大值(參考值) 750VA、90W

 

功率MOS FET繼電器規(guī)格
輸入（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

 

額定電壓
(V)		 使用電壓 動(dòng)作電壓
電平		 復(fù)位電
壓電平		 輸入阻抗 額定電流
DC 12 DC9.6～14.4V DC9.6V以下 DC1V
以上		 2kΩ±20% 8.0mA±20%
24 DC19.2～28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%

 

注： 額定電流包含終端的LED電流。

輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

 

負(fù)載電壓 負(fù)載電流 浪涌ON電流耐量
AC3～264V
DC3～125V		 100μ～0.3A 6A (10ms)

 

注： G3DZ上沒(méi)有輸出極性。

性能

 

型號(hào)
G6D-4B
繼電器輸出
接觸電阻 *1 100mΩ以下
動(dòng)作時(shí)間 *2 10ms以下
復(fù)位時(shí)間 *2 15ms以下
絕緣電阻 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)
耐電壓 線圈/接點(diǎn)之間 AC2,000V 50/60Hz 1min
同極接點(diǎn)間 AC750V 50/60Hz 1min
耐沖擊電壓(線圈接點(diǎn)之間) 4,000V(1.2×50μs)
振動(dòng) 耐久 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
誤動(dòng)作 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 耐久 500m/s2
誤動(dòng)作 100m/s2
耐久性 機(jī)械 2,000萬(wàn)次以上(開(kāi)關(guān)頻率18,000次/h)
電氣 *2 AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬(wàn)次以上
DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬(wàn)次以上
(開(kāi)關(guān)頻率1,800次/h)
故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) DC5V 10mA
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無(wú)結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度 45～85%RH
質(zhì)量 約70g

 

注： 上述值為初始值。
*1. 測(cè)量條件：DC5V 1A
*2. 環(huán)境溫度條件：+23℃
*3. 此值為開(kāi)關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。

 

型號(hào)
G3DZ-4B
功率MOS FET繼電器輸出
動(dòng)作時(shí)間 10ms以下
復(fù)位時(shí)間 15ms以下
輸出ON電阻 2.4Ω以下
開(kāi)路時(shí)漏電流 10μA以下(DC125V時(shí))
絕緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)
輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min
振動(dòng) 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 500m/s2
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無(wú)結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度 45～85%RH
質(zhì)量 約65g


 

（單位：mm）

本體

G6D-4B
G3DZ-4B

G6D-4B / G3DZ-4B 外形尺寸 3
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